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一种多芯片并联的buck型碳化硅功率模块

发布时间: 2022-08-22

来源: 科技服务团

基本信息

合作方式: 技术转让
成果类型: 发明专利
行业领域:
电子信息技术,新型电子元器件
成果介绍
本实用新型公开了一种多芯片并联的buck型碳化硅功率模块,属于电力电子技术领域,功率模块包括:DBC基板,包括电路层,设有:DC+区、DC?区、AC区、第一控制区和第二控制区;DC?区、AC区、DC+区从上到下依次排布组成矩形区域且均由左右对称放置并连接的两块铜层构成;第一控制区放置在DC+区下方,第二控制区放置在DC?区上方;第一碳化硅功率芯片组与电路层连接,包括多个互相并联的第一碳化硅功率芯片;第二碳化硅功率芯片组与电路层连接,包括多个互相并联的第二碳化硅功率芯片;第二碳化硅功率芯片组与第一碳化硅功率芯片组串联构成buck电路。本实用新型通过合理安排DBC电路层上连接区的位置、优化回路布局,实现了模块的低寄生参数以及并联芯片的均流。
成果亮点
针对现有技术的以上缺陷或改进需求,本实用新型提供了一种多芯片并联的buck型碳化硅功率模块,旨在解决现有buck电路功率模块存在的寄生电感较大、开关管不均流、通流能力不高的问题。 为实现上述目的,按照本实用新型的一个方面,提供了一种多芯片并联的buck型碳化硅功率模块,包括: DBC基板,包括电路层,所述电路层设有:DC+区、DC-区、AC区、第一控制区和第二控制区;所述DC-区、AC区、DC+区均由左右对称放置并连接的两块铜层构成,所述DC-区、所述AC区、DC+区从上到下依次排布组成矩形区域;所述第一控制区放置在DC+区下方,所述第二控制区放置在DC-区上方; 第一碳化硅功率芯片组,焊接在所述DBC基板上且与所述电路层DC+区连接;包括多个互相并联的第一碳化硅功率芯片; 第二碳化硅功率芯片组,焊接在所述DBC基板上且与所述电路层AC区连接;包括多个互相并联的第二碳化硅功率芯片;所述第二碳化硅功率芯片组与所述第一碳化硅功率芯片组串联构成buck电路。
团队介绍
华中科技大学,简称华中大,位于湖北省武汉市,是中华人民共和国教育部直属的综合性研究型全国重点大学、位列国家“双一流”、“985工程"、"211工程"、入选"强基计划"、"111计划"、卓越工程师教育培养计划、卓越医生教育培养计划、湖北省2011计划、国家大学生创新性实验计划、国家级大学生创新创业训练计划、国家建设高水平大学公派研究生项目、国家级新工科研究与实践项目、基础学科拔尖学生培养计划***,是学位授权自主审核单位、全国深化创新创业教育改革示范高校、一流网络安全学院建设示范项目高校、中国政府奖学金来华留学生接收院校、教育部来华留学示范基地,为中欧工程教育平台成员和医学“双一流”建设联盟、中国人工智能教育联席会理事单位
成果资料