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3D NAND闪存器件及其包覆型硅纳米管的制备方法

发布时间: 2022-08-02

来源: 科技服务团

基本信息

合作方式： 技术转让
成果类型： 发明专利
行业领域：
电子信息技术,新型电子元器件,微电子技术
成果介绍
本发明公开了一种3D NAND闪存器件及其包覆型硅纳米管的制备方法，属于3D NAND闪存领域。该包覆型硅纳米管的制备方法该存储器件以碳纳米管为模板，在所述碳纳米管内腔沉积Ni层，然后煅烧去除碳纳米管同时将Ni层氧化得到NiO纳米线，再利用化学气相沉积在NiO纳米线外部沉积Si层，最后去除NiO纳米线即得到包覆型硅纳米管。该3D NAND闪存器件由包覆型纳米管作为NAND串组成，可以有效简化器件结构，也减少了原有器件制作过程中复杂的制造工艺步骤，简化了制备过程，对降低制造成本有积极作用。同时多步模板复制法的使用使制备的纳米管管径和管壁更加均匀，管壁厚度更加可控。
成果亮点
本发明提供了一种3D NAND闪存器件及其包覆型硅纳米管的制备方法，其目的在于，通过多步模板复制法，先以碳纳米管为模板沉积镍，去除碳纳米管并氧化后以氧化镍为模板沉积硅，最后去除氧化镍得到硅纳米管，由此减少光刻步骤，简化制造工艺。 为实现上述目的，按照本发明的一个方面，提供了一种制备包覆型硅纳米管的方法，该方法以碳纳米管为模板，在所述碳纳米管内腔沉积Ni层，然后煅烧去除碳纳米管同时将Ni层氧化得到NiO纳米线，再利用化学气相沉积在NiO纳米线外部沉积Si层，最后去除NiO纳米线即得到包覆型硅纳米管。
团队介绍
缪向水：华中科技大学集成电路学院院长、武汉国际微电子学院院长、光学与电子信息学院副院长、武汉光电国家研究中心微纳电子学方向召集人、信息存储材料及器件研究所所长、蔡少棠忆阻器研究中心主任； 华中科技大学校学术委员会委员、市政府第八届决策咨询委员会委员、湖北省集成电路产业发展专家咨询委员会副主任； 国家先进存储产业创新中心首席科学家、湖北江城实验室副主任兼首席科学家、先进存储器湖北省重点实验室主任、湖北省微电子工程研究中心主任、湖北省薄膜材料检测技术工程实验室技术委员会主任、华中科技大学-长江存储联合实验室主任、华中科技大学-华为联合实验室主任。; 其他成员：王升;童浩
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