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电子信息技术,新型电子元器件

本发明公开了一种混合价态锡基氧化物半导体材料的制备方法及应用，将四价锡盐和二价锡盐按照预设摩尔比例溶于水中，加入沉淀剂进行沉淀；进行离心分离和去离子水清洗；将产物置于水热反应装置中，加入矿化剂，并加水分散经水热反应得到锡基氧化物半导体材料纳米晶。所得的锡基氧化物半导体材料可以作为太阳能电池、发光二极管、光电探测器和场效应管等光电器件中的载流子传输层或者缓冲层，由于混合价态锡基氧化物组分可调，从而具有载流子迁移率、能带结构、透光率、导电性等半导体材料性能可调的优点，同时本发明制备方法工艺简单，反应条件温和，在光电器件领域对器件的灵活设计与性能优化有着明显的促进作用，有很大的工业化应用前景。

取得以下有益效果： 1、本发明提供了一种组分可调的混合价态锡基氧化物半导体材料的制备方法，通过控制不同价态的锡盐比例可以选择性地合成不同的锡基氧化物，不同的锡基氧化物半导体材料的载流子迁移率、能带结构、透光率和导电性都不同，因此可以满足不同类型的光电器件的需求； 2、本发明提供的混合价态锡基氧化物半导体材料的制备方法工艺简单，反应条件温和，设备要求低，成本低廉，具有良好的可加工性能，在光电器件领域对器件的灵活设计与性能优化有着明显的促进作用，有很大的工业化应用前景。

韩宏伟：华中科技大学武汉光电国家研究中心二级教授，博士生导师。2016年入选长江学者特聘教授，2017年入选 万人计划领军人才。在Science、Adv Mater、Nature Comms、JACS等杂志上发表论文150余篇，单篇最高他引2600余次，多次主持国际国内学术会议，并做大会或邀请报告。主持国家自然科学基金集成项目、重点项目、863计划课题等项目。 其他成员：;梅安意;李圣