科创中国

电子信息技术,新型电子元器件

本发明公开了一种用于纳米级相变存储器单元的垂直电极配置结构的加工方法，按照工序依次生长下层电极材料层、中间相变材料层、上层电极材料层；加工时，将上层电极材料层和下层电极材料层加工为部分交叠上下电极结构，可进行源漏端交换。对于低阻晶态，通过构造非对称的上下电极结构，相比较于正对垂直电极结构，增大了等效电阻R，减小了工作电流，避免大电流的隧穿，延长器件寿命。同时，非正对面积分量分流了串联通路电流，增大串联过程电流扩散，也使得工作电流减小，工作电流越小，亚稳态的晶相结构越不容易被击穿。

具有以下有益效果： 1、本发明的用于纳米级相变存储器单元的垂直电极配置结构及其加工方法，对于低阻晶态，通过构造非对称的上下电极结构，将单元接入电路，电流在上下等电势面间垂直流动，相比较于正对垂直电极结构，增大了等效面间距L，重叠的正对面积分量小、减小了等效截面积S，从而增大等效电阻R，减小了工作电流，避免大电流的隧穿，延长器件寿命。 2、本发明的用于纳米级相变存储器单元的垂直电极配置结构及其加工方法，通过构造非对称的上下电极结构，在正对面积分量发挥上述作用的同时，非正对面积分量分流了串联通路电流，增大串联过程电流扩散，也使得工作电流减小，工作电流越小，亚稳态的晶相结构越不容易被击穿。

童浩：副教授，2007年本科毕业于武汉大学物理学院，2012年3月获华中科技大学微电子学与固体电子学博士学位，论文获评2013年湖北省优秀博士学位论文，2015年入选武汉市青年科技晨光计划人才。长期从事信息存储材料及器件的研究工作，现任功能薄膜材料物理性能检测湖北省工程实验室主任，是中国材料与试验团体标准委员会基础与共性技术领域委员会委员，入选科技部国家科技项目评议库专家、国家自然科学基金通讯评议专家及湖北省科技厅专家库专家。研究方向包括低维相变材料、相变存储器及3D Xpoint存储器等，在薄膜材料热特性测试技术方面有较为深入的研究。 其他成员;马平;缪向水