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新材料技术,高分子材料,精细化学品

本发明公开了一种基于电化学沉积的深孔超晶格填充方法，包括如下步骤：S1：制备导电衬底；S2：制备绝缘层；S3：制备深孔；S4：配置反应溶液，其中混合有两种不同的电解液；S5：在深孔内从底部向上进行电化学沉积，其中，通过调节沉积参数，在深孔内分别交替沉积第一相变材料层和第二相变材料层，形成超晶格结构；S6：制备上电极。本发明通过微纳加工技术刻蚀出纳米级孔径的深孔之后再利用电化学沉积的方法快速有效填充深孔的工艺方法，可以从纳米孔的底部开始生长纳米相变材料，能够实现超大深宽比小孔进行硫系相变材料的填充，通过对沉积参数的调控可以实现对材料生长的精准调控。

本发明提供了一种通过微纳加工技术刻蚀出纳米级孔径的深孔之后再利用电化学沉积的方法快速有效填充深孔的工艺方法，可以从纳米孔的底部开始生长纳米相变材料，能够实现超大深宽比小孔进行硫系相变材料的填充。这种方法有其独特的优势：首先其生长驱动力为极间电势差，使得沉积条件稳定可控，易于实现并且沉积过程中，通过对沉积参数的调控可以实现对材料生长的精准调控。不仅如此电化学沉积的实现成本低廉，制备速度快，可以在常温常压下实现，得到沉积层具有高密度，低孔隙的特点。实际上通过对溶液的选择和参数的优化可以实现在不同的沉积阶段，在小孔内沉积不同的材料，使得孔内多层膜的结构成为可能。同时控制沉积参数能够控制薄膜组分和厚度，实现对器件更精细的控制。

童浩：副教授，2007年本科毕业于武汉大学物理学院，2012年3月获华中科技大学微电子学与固体电子学博士学位，论文获评2013年湖北省优秀博士学位论文，2015年入选武汉市青年科技晨光计划人才。长期从事信息存储材料及器件的研究工作，现任功能薄膜材料物理性能检测湖北省工程实验室主任，是中国材料与试验团体标准委员会基础与共性技术领域委员会委员，入选科技部国家科技项目评议库专家、国家自然科学基金通讯评议专家及湖北省科技厅专家库专家。研究方向包括低维相变材料、相变存储器及3D Xpoint存储器等，在薄膜材料热特性测试技术方面有较为深入的研究。 其他成员：;万代兴;缪向水;徐开朗