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本发明公开了一种3D体硅微型电容器的制作方法，包括3D体硅衬底结构的制作、适用于该3D结构活性材料的引入和电容器的三种封装与集成。首先，深硅刻蚀得到镂空的3D硅基梳齿衬底，再对梳齿的上下表面和侧壁包覆碳基导电层和活性材料，最后在表面涂敷胶状电解质，并进行封装与集成，得到所述3D体硅微型电容器。相对于传统的梳齿型平面结构，本发明提供的微型电容器电极的纵向高度得到延伸，可利用的电极表面积从二维平面扩展至三维的表面与纵向侧壁，3D电极能负载更多的活性材料，从而使比电容和比能量密度提升；且3D梳齿结构的活性材料引入方法对3D电容器的研究有重要意义，提出的封装和集成方法保证了电容器的稳定和寿命。

发明提供了一种基于MEMS 技术的3D体硅微型电容器、其制作及应用，其通过在硅基衬底表面通过深刻蚀获得具有水平表面和纵向侧壁的电极衬底，在该电极结构衬底的水平表面和纵向侧壁的表面依次包覆碳基导电材料和活性材料，涂覆电解质后封装，获得3D体硅微型电容器，由此解决现有的3D体微型电容器器件的整体储能容量有限的技术问题。

孙雷蒙：具有多年的微纳加工超净间工作经验，熟悉芯片上各种微电子器件的制程，其中主要包括芯片上储能器件和光电器件的研发和制程优化。近几年在国际知名杂志上共发表SCI论文20多篇（其中第一作者9篇），并且参与多个与工业界合作的科技研发项目，与公司共同合作申请专利一项。 其他成员：王玉容;;肖东阳;胡方靖;涂良成