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新材料技术,高分子材料

本发明属于纳米半导体材料领域，并具体公开了一种二维非层状In2SnS4晶体材料及其制备方法。该制备方法具体为：将硫化铟、硫化亚锡和氯化钠混合获得前驱体，然后将前驱体置于中心温区并对其加热生成In2SnS4晶体材料，利用载气将In2SnS4晶体材料带入下游沉积区，从而在位于下游沉积区的衬底上进行沉积，以此形成二维非层状In2SnS4晶体材料。本发明将硫化铟、硫化亚锡和氯化钠混合作为前驱体，能够降低中心温区的温度，减小制备过程中的能耗，实现制备过程的可控，同时本发明将衬底设置在下游沉积区，与中心温区保持一定的距离，能够避免中心温区温度过高而破坏衬底。

本发明提供了一种二维非层状In2SnS4晶体材料及其制备方法，其中通过将硫化铟、硫化亚锡和氯化钠混合获得前驱体，并将反应区与沉积区进行空间隔离，相应能够降低反应温度，并避免衬底发生破坏，因而尤其适用于二维非层状晶体材料制备之类的应用场合。

周兴;左念;翟天佑：华中科技大学材料科学与工程学院教授，博士生导师，材料成形与模具技术国家重点实验室副主任，国家杰出青年科学基金获得者（2018年），万人计划科技创新领军人才（2019年），科技部中青年科技创新领军人才（2018年），湖北省创新群体负责人（2019年），国家优秀青年科学基金获得者（2013年，结题优秀），全球高被引科学家（2015, 2018-2021年），英国材料、矿物与矿业学会会士 （2022年），英国皇家化学会会士（2017年），国家海外高层次青年人才（2012年），曾获国家自然科学二等奖获得者（5/5, 2014年），中国化学会青年化学奖获得者（2014年）和湖北青年五四奖章（2019年）等。