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摘要: 本发明公开了一种改进的单刀双掷毫米波波段分布式开关，包括第一pHEMT管，漏极连接第三pHEMT管源极和第三微带线一端，源极接地，栅极通过第一电阻连接VG1；第三微带线另一端连接发射端TX；第二pHEMT管，漏极连接第四pHEMT管源极和第六微带线一端，源极接地，栅极通过第三电阻连接VG2；第六微带线另一端连接接收端RX；第三pHEMT管，漏极连接第四pHEMT管漏极，栅极通过第二电阻连接VG2；第四pHEMT管，栅极通过第四电阻连接VG1；第二、第一、第四和第五微带线的一端分别连接于第三微带线和第一pHEMT管、第一pHEMT管和第三pHEMT管、第三pHEMT管和第二pHEMT管、第二pHEMT管和第六微带线之间，另一端分别接地。本发明基于GaAs的pHEMT工艺实现一个改进的SPDT的射频开关，在保证插损的前提下，实现了高隔离。

主权利要求: 1.一种改进的单刀双掷毫米波波段分布式开关，其特征在于，其包括：第一pHEMT管(202)，其漏极分别连接第三pHEMT管(204)的源极和第三微带线(207)的一端，其源极接地，其栅极通过第一电阻(201)连接第一状态控制信号VG1；第三微带线(207)的另一端连接发射端TX；第二pHEMT管(212)，其漏极分别连接第四pHEMT管(214)的源极和第六微带线(217)的一端，其源极接地，其栅极通过第三电阻(211)连接第二状态控制信号VG2；第六微带线(217)的另一端连接接收端RX；第三pHEMT管(204)，其漏极连接第四pHEMT管(214)的漏极，其栅极通过第二电阻(203)连接第二状态控制信号VG2；第四pHEMT管(214

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