科创中国

本发明提供一种基于伪MOSFET的InGaAs晶圆几何因子表征方法及表征系统，表征方法包括：提供待表征试样，最上层为InGaAs层，构成伪MOS结构；基于第一衬垫、第二衬垫、第三衬垫及第四衬垫测试方块电阻、测试区电阻，并基于测试结构及电流电压关系实现InGaAs基伪MOSFET的几何因子的表征。本发明通过测试方法过程中测试方式的设计，可以实现InGaAs基的伪MOSFET的几何因子表征，表征方式简单，表征系统结构简单。本发明提供一种基于伪MOSFET的InGaAs晶圆几何因子表征方法及表征系统，表征方法包括：提供待表征试样，最上层为InGaAs层，构成伪MOS结构；基于第一衬垫、第二衬垫、第三衬垫及第四衬垫测试方块电阻、测试区电阻，并基于测试结构及电流电压关系实现InGaAs基伪MOSFET的几何因子的表征。本发明通过测试方法过程中测试方式的设计，可以实现InGaAs基的伪MOSFET的几何因子表征，表征方式简单，表征系统结构简单。