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本发明提供一种基于隧穿晶体管的ESD保护器件结构及其制备方法，所述ESD保护器件结构包括：衬底；隧穿晶体管，位于所述衬底上方；其中，所述隧穿晶体管具有P型掺杂的半导体层；隔离结构，位于所述隧穿晶体管两侧的所述衬底上方；深N阱，位于所述衬底和所述隧穿晶体管的半导体层之间，并通过贯穿所述隔离结构的深N阱引出端引出。通过本发明提供的基于隧穿晶体管的ESD保护器件结构及其制备方法，解决了现有ESD保护器件尺寸大、低速的问题。 本发明提供一种基于隧穿晶体管的ESD保护器件结构及其制备方法，所述ESD保护器件结构包括：衬底；隧穿晶体管，位于所述衬底上方；其中，所述隧穿晶体管具有P型掺杂的半导体层；隔离结构，位于所述隧穿晶体管两侧的所述衬底上方；深N阱，位于所述衬底和所述隧穿晶体管的半导体层之间，并通过贯穿所述隔离结构的深N阱引出端引出。通过本发明提供的基于隧穿晶体管的ESD保护器件结构及其制备方法，解决了现有ESD保护器件尺寸大、低速的问题。