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本发明涉及一种具有突变隧穿结的PNIN/NPIP型FD-GOI TFET及制备方法，该制备方法包括：选取FD-GOI衬底；采用刻蚀工艺形成浅沟槽隔离；采用光刻工艺形成漏区图形，采用离子注入工艺形成漏区；在衬底上表面形成源区沟槽；采用倾斜离子注入工艺向源区沟槽侧壁注入离子以形成薄层掺杂区；在源区沟槽内淀积锗材料，并同时进行原位掺杂形成源区；源区的掺杂浓度高于漏区的掺杂浓度；在衬底上表面形成栅界面层；在栅界面层表面生长栅介质层和前栅极层，采用干法刻蚀工艺形成前栅，在衬底下表面生长背栅极层，采用干法刻蚀工艺形成背栅；光刻引线窗口，淀积金属，光刻引线，形成源区、漏区、前栅和背栅的金属引线，形成具有突变隧穿结的PNIN/NPIP 型FD-GOI TFET。