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碳化硅晶体生长工艺及设备

发布时间: 2022-06-10

来源: 科创项目库

基本信息

合作方式： 技术服务
成果类型： 新品种
行业领域：
高端产业
成果介绍

碳化硅（SiC）具有禁带宽、临界雪崩击穿电场强度高、电子饱和漂移速度高、热导率高以及耐高温、抗辐照和耐腐蚀等特点，是制造高性能电力电子器件、大功率固体微波器件和固体传感器等新型器件和耐高温集成电路的优选材料。

成果亮点
团队介绍
成果资料