科创中国

该项目团队负责人何云斌教授，是湖北大学功能材料绿色制备与应

用教育部重点实验室骨干成员，同时是湖北省先进光电转换与光电催化

材料国际科技合作基地负责人，首批“百人计划”特聘专家。

半导体深紫外光电器件在国计民生、军事国防等领域具有重大的应

用前景，可广泛应用于激光精密加工、精密测量、半导体光刻制程、生

物医疗、水和空气的检测与净化、热源探测等。

项目通过引入等价过渡金属元素合金化的新思路，一方面利用掺杂

元素氧化物更大的带隙来提高 SnO2、Ga2O3 基合金的带隙，将其从紫外

波段拓展至日盲紫外波段；另一方面利用掺杂元素与氧离子之间更强的

键合作用来抑制氧空位缺陷的产生。通过此二效应来降低合金中本征载

流子浓度，从而极大降低合金薄膜探测器暗电流。同时，作为陷阱中心

的氧空位缺陷浓度的降低大大加快了光电探测器的回复响应速度。目前

该项目在 SnO2、 Ga2O3 基两类深紫外探测器上均实现了日盲区探测和极

快响应速度，两方面都处于国际最高水平。

该项目开发的新型高性能深紫外光探测器，将在导弹预警与制导、

紫外光保密通信、高压线工况监测和医学成像等领域得到广泛应用。在

材料开发、芯片设计与制造、器件开发等方面具有完全自主知识产权。