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ESD保护结构及其制备方法

发布时间: 2022-06-07

来源: 试点城市（园区）

基本信息

合作方式： 技术咨询
成果类型： 发明专利,实用新型专利
行业领域：
新材料产业,制造业
成果介绍

本发明提供一种ESD保护结构，包括：全耗尽绝缘体上硅，由下至上包括硅衬底、埋氧层及顶层硅；硅化物层，形成于埋氧层的上表面，且形成于顶层硅的两侧；栅氧层，形成于顶层硅的上表面；隔离层，形成于部分硅化物层的上表面，且形成于栅氧层的两侧；控制栅，形成于部分栅氧层的上表面；可编程栅，形成于部分栅氧层及与其邻接的部分隔离层的上表面，且形成于控制栅的两侧，其中可编程栅与控制栅之间具有间距；源极，形成于顶层硅一侧的硅化物层的上表面，且形成于隔离层远离可编程栅的一侧；漏极，形成于顶层硅另一侧的硅化物层的上表面，且形成于隔离层远离可编程栅的一侧。通过本发明提供的ESD保护结构，解决了现有结构静态漏电较高的问题。

成果亮点
团队介绍
成果资料