一种全包围栅器件及其制作方法
发布时间: 2022-06-07
来源: 试点城市(园区)
基本信息
本发明提供一种全包围栅器件及其制作方法,该方法包括以下步骤:形成绝缘层于衬底上;形成第一栅极层于绝缘层上;形成多个沟槽;形成第一栅介质层于第一栅极层的上表面及沟槽的侧壁与底壁;形成源极层于第一栅介质层上;去除源极层位于沟槽所在区域以外的部分;形成第二栅介质层于源极层的显露表面,第二、第一栅介质层相接以共同包裹源极层;去除第一栅极层上表面的第一栅介质层;形成第二栅极层于第一栅极层上,第二栅极层与第一栅极层相接以共同包裹栅介质层及源极层;形成隔离槽。本发明得到一种绝缘埋层上的栅极全包围源极的器件结构,可以提供更高速、高效的操作性能和更低的功耗,兼具FD‑SOI和GAA的双重优势,且降低了制作成本。