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本实用新型公开的一种功率半导体模块防静电的电极保护结构，包括用于容纳功率半导体模块的外壳，所述外壳上设置有用于将栅极端子包围在内部的保护壳体，保护壳体在与栅极端子的端部对应的位置设置有开口。本实用新型通过设置上述的保护壳体，对栅极端子起到保护的作用，彻底的解决了带有静电的人或物触碰到栅极端子的风险，避免静电击穿现象的出现，并且本实用新型中的保护壳体简单，结构通用型非常强，可以适用于不同外形的功率半导体模块封装。

一种功率半导体模块防静电的电极保护结构

[0001]技术领域

[0002]本实用新型涉及功率半导体模块壳体技术领域，尤其涉及一种功率半导体模块防静电的电极保护结构。

[0003]背景技术

[0004]IGBT或者MOSFET功率模块，是电力电子转换的核心半导体部件，但由于IGBT或MOSFET的栅极绝缘层(栅极氧化层)只有几十纳米的厚度，所以它对静电释放较敏感，即元件可以因为静电场或者静电放电造成损坏，一旦由于静电造成栅极静电击穿，则功率模块完全无法使用，为了解决上述问题，现在的功率模块栅极端子，一般会采用短路环将栅极端子进行短接，或者采用防静电泡棉将栅极端子进行保护，但是这些方式均不保险，这是由于一方面短路环或者静电泡棉都容易脱落，进而存在栅极静电击穿的风险，另一方面，在实际的应用过程中，工程师都会将短路环或者静电泡棉摘除，此时的状态可参照图1，图中的结构包括壳体1‑1，壳体1‑1内安装有功率半导体模块，壳体1‑1的表面设置有与功率半导体模块相连接的栅极端子1‑2，可直观的看到，此时栅极端子1‑2是处于完全裸露的状态，所以工程师在操作的过程中很容易用手触碰到栅极端子1‑2，从而容易造成由于人体静电造成的栅极击穿问题，进而使得产品报废增加成本。

[0005]实用新型内容

[0006]本实用新型的目的在于避免现有技术的不足之处，提供一种功率半导体模块防静电的电极保护结构，从而有效解决现有技术中存在的不足之处。

[0007]为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：一种功率半导体模块防静电的电极保护结构，包括用于容纳功率半导体模块的外壳，所述外壳上设置有用于将栅极端子包围在内部的保护壳体，保护壳体在与栅极端子的端部对应的位置设置有开口。

[0008]进一步，所述保护壳体与外壳为一体成型的结构。

[0009]进一步，所述保护壳体通过胶粘的方式与外壳固定连接。

[0010]进一步，所述保护壳体的底部两侧设置有安装板，所述外壳上配合安装板设置有安装槽，所述安装板的底部设置有卡板，卡板的底部设置有卡凸，所述外壳上配合卡凸设置有卡槽。

[0011]进一步，所述外壳的表面与安装板的表面相平齐。

[0012]进一步，所述保护壳体内嵌设有加强内衬件。

[0013]进一步，所述加强内衬件整体为L形。

[0014]进一步，所述外壳上设置有盖板，外壳与盖板之间形成用于安装功率半导体模块的安装空间。

[0015]进一步，所述保护壳体的开口与栅极端子的端部相平齐。

[0016]本实用新型的上述技术方案具有以下有益效果：本实用新型通过设置上述的保护壳体，对栅极端子起到保护的作用，彻底的解决了带有静电的人或物触碰到栅极端子的风险，避免静电击穿现象的出现，并且本实用新型中的保护壳体简单，结构通用型非常强，可以适用于不同外形的功率半导体模块封装。