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本实用新型公开的一种碳化硅单晶生长装置，包括坩埚盖、中间环体、坩埚底和缩口导流套，缩口导流套的底部周围设置有连接环，连接环沿水平方向设置，连接环的顶面与中间环体的底面贴合设置，连接环的底面与坩埚底的顶面贴合设置，连接环的外侧设置有向上延伸的上安装套以及向下延伸的下安装套，中间环体上配合上安装套设置有上安装环槽，坩埚底上配合下安装套设置有下安装环槽。本实用新型中的缩口导流套采用新颖的安装结构，不仅实现了与中间环体以及坩埚底之间的定位连接，方便安装，而且不会再因为频繁的拆装磨损而出现影响密封性的情况，在结构上实现了中间环体与坩埚底连接处的绝对密封，保证了碳化硅单晶生长装置长期稳定的使用。

一种碳化硅单晶生长装置

[0001]技术领域

[0002]本实用新型涉及碳化硅生长技术领域，尤其涉及一种碳化硅单晶生长装置。

[0003]背景技术

[0004]碳化硅作为第三代半导体，由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，具有禁带宽度大、击穿场强、饱和电子迁移率高等优异性能，而被广泛应用于电力电子，射频器件，光电子器件等领域，目前碳化硅单晶的长晶方法主要为PVT法，在该方法中，用于籽晶生长的装置通常是石墨坩埚，在实际的操作中，籽晶黏接在坩埚盖上，坩埚底部的原料在烧结的效果下升华成为气体，气体向上升，并在籽晶表面处生长，在这个过程中，一部分气体向上挥发后会折返回原料的表面，出现原料的抬高现象，进而导致原料的烧结出现不稳定的现象，同时也会影响气体挥发的稳定性，最终影响籽晶的生长质量。

[0005]为了解决上述问题，在公开号为“CN211713255U”公开了一种籽晶生长装置，其结构如图1所示，包括坩埚盖1‑1、中间环体1‑2和坩埚底1‑3，坩埚盖1‑1盖在中间环体1‑2的顶部，中间环体1‑2与坩埚底1‑3之间设置有缩口导流套1‑4，坩埚盖1‑1的底部设置有与缩口导流套1‑4的顶部相对应的凸起结构1‑5，籽晶粘贴在凸起结构1‑5上，坩埚底1‑3内容纳有原料1‑6，在使用的使用，对原料进行加热，缩口导流套对原料升华后的气体起到控制流向的作用，使得气体流向凸起结构上的籽晶处，使得折返气体不会影响到原料的升华，以及不会影响到凸起结构上的籽晶的生长，在上述的结构中，虽然为了保证密封性，将缩口导流套的底部设置为与中间环体的内壁相贴合的结构，但是在频繁的拆装过程中，由于磨损等原因会导致配合位置出现间隙，影响后期的使用效果，并且整个装置在每次装配的时候，由于结构比较简单，所以不容易一次装到位，影响使用效果。

[0006]实用新型内容

[0007]本实用新型的目的在于避免现有技术的不足之处，提供一种碳化硅单晶生长装置，从而有效解决现有技术中存在的不足之处。

[0008]为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：一种碳化硅单晶生长装置，包括坩埚盖、中间环体、坩埚底和缩口导流套，所述中间环体设置在坩埚底的顶部，坩埚盖设置在中间环体的顶部，缩口导流套位于中间环体内，坩埚盖的底部设置有用于粘贴籽晶的凸起结构，所述缩口导流套的底部周围设置有连接环，连接环沿水平方向设置，连接环的顶面与中间环体的底面贴合设置，连接环的底面与坩埚底的顶面贴合设置，连接环的外侧设置有向上延伸的上安装套以及向下延伸的下安装套，所述中间环体上配合上安装套设置有上安装环槽，坩埚底上配合下安装套设置有下安装环槽。

[0009]进一步，所述上安装套的外表面与中间环体的外表面相平齐，下安装套的外表面与坩埚底的外表面相平齐。

[0010]进一步，所述坩埚盖上设置有定位沿，中间环体上配合定位沿设置有定位环槽。

[0011]进一步，所述上安装套与下安装套的高度相等。

[0012]进一步，所述缩口导流套、连接环、上安装套以及下安装套为一体式结构。

[0013]本实用新型的上述技术方案具有以下有益效果：本实用新型中的缩口导流套采用新颖的安装结构，不仅实现了与中间环体以及坩埚底之间的定位连接，方便安装，而且不会再因为频繁的拆装磨损而出现影响密封性的情况，在结构上实现了中间环体与坩埚底连接处的绝对密封，使得气体只能从缩口导流套内通过，保证了碳化硅单晶生长装置长期稳定的使用。