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本实用新型公开的一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置，包括石墨坩埚，石墨坩埚上设置有坩埚盖，坩埚盖的内侧固定设置有籽晶，石墨坩埚内装有原料，石墨坩埚的内侧壁以及内底壁分别贴有侧部石墨纸与底部石墨纸，石墨坩埚的内底壁外沿设置有环形容纳槽，环形容纳槽内可拆卸的设置有压环，压环的上表面与石墨坩埚的内底壁相平，底部石墨纸的外边缘与压环的外边缘相平齐，侧部石墨纸的底端与压环的底端相平并被卡紧在压环的外侧。本实用新型中通过增加压环与环形容纳槽，并且将侧部石墨纸以及底部石墨纸的局部结构进行改进，使得侧部石墨纸以及底部石墨纸的接合处的重合区域大大的增加，避免了石墨坩埚因为参与反应而导致的腐蚀情况。

一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置

[0001]技术领域

[0002]本实用新型涉及碳化硅生长技术领域，尤其涉及一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置。

[0003]背景技术

[0004]第三代半导体中技术最为成熟的就是碳化硅，碳化硅作为间接带隙半导体，其特点主要有带隙宽、热导率高、击穿强度高、化学性能好、抗辐射能力强等，在半导体应用领域具有非常明显的优势，目前生长大直径碳化硅单晶的主流方法是PVT法，其用到的生长装置的主要结构包括坩埚和坩埚盖两部分，使用原理是将原料放置在坩埚中，将籽晶粘接在坩埚盖上，将原料进行加热升华，升华后的气体与籽晶接触，实现生长，在这个过程中，石墨坩埚中的碳元素会参与反应，造成坩埚内表面出现缺失、腐蚀的情况，为了解决这个问题，在公开号为“CN205474111U”的实用新型专利说明书中公开了一种消除碳化硅单晶生长过程中硅对石墨体腐蚀的装置，其结构如图1所示，包括石墨坩埚1‑1，石墨坩埚1‑1上扣合有坩埚盖1‑2.坩埚盖1‑2的内侧固定有籽晶1‑3，石墨坩埚1‑1内装有原料1‑4，石墨坩埚1‑1的内侧壁和内底壁上贴附有石墨纸1‑5，具体的，石墨纸为两部分，其包括与内侧壁相贴合的卷取成筒状的结构以及与内底壁相贴合的圆片结构，由于采用分体式结构，所以导致两部分在接触的位置具有极小的重合区域，所以导致在该处仍然容易出现石墨坩埚参与反应的问题，没有彻底的解决石墨坩埚腐蚀的问题。

[0005]实用新型内容

[0006]本实用新型的目的在于避免现有技术的不足之处，提供一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置，从而有效解决现有技术中存在的不足之处。

[0007]为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置，包括石墨坩埚，石墨坩埚上设置有坩埚盖，坩埚盖的内侧固定设置有籽晶，石墨坩埚内装有原料，石墨坩埚的内侧壁以及内底壁分别贴有侧部石墨纸与底部石墨纸，所述石墨坩埚的内底壁外沿设置有环形容纳槽，环形容纳槽内可拆卸的设置有压环，压环的上表面与石墨坩埚的内底壁相平，底部石墨纸的外边缘与压环的外边缘相平齐，侧部石墨纸的底端与压环的底端相平并被卡紧在压环的外侧。

[0008]进一步，所述底部石墨纸的外端设置有向下延伸的筒状包覆环，筒状包覆环位于所述压环与侧部石墨纸之间。

[0009]进一步，所述底部石墨纸的外端通过耐高温胶与压环进行连接。

[0010]进一步，所述侧部石墨纸的底端设置有向内侧进行水平延伸的包覆环，包覆环位于所述压环的底部。

[0011]进一步，所述压环为石墨压环。

[0012]本实用新型的上述技术方案具有以下有益效果：本实用新型中通过增加压环与环形容纳槽，并且将侧部石墨纸以及底部石墨纸的局部结构进行改进，使得侧部石墨纸以及底部石墨纸的接合处的重合区域大大的增加，彻底的实现了石墨坩埚与内部空间的隔离，避免了石墨坩埚因为参与反应而导致的腐蚀情况。