大直径碳化硅晶体生长工艺及设备
发布时间: 2022-05-30
来源: 科创项目库
基本信息
本项目研究人工生长大直径碳化硅单晶体的基本问题,开发适合于器件制造的优质碳化硅单晶的生长工艺与设备,形成一定的设备及晶体生产能力。目前,该项目组使用自行研制、具有自主知识产权的TDL16型碳化硅晶体生长设备和晶体生长工艺,已能制备直径58mm以内、长度15mm以内的6H-SiC体单晶;可以制备更大尺寸的4英寸碳化硅晶体生长设备已进入安装、调试阶段。