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可局部定向沉积SiC涂层的CVD装置及沉积方法

发布时间: 2022-05-20

来源: 试点城市（园区）

基本信息

合作方式： 技术转让
成果类型： 发明专利,新技术
行业领域：
其他
成果介绍

本发明提供了一种可局部定向沉积SiC涂层的CVD装置，属于半导体薄膜材料技术领域。包括进气通道、沉积系统和排气通道；所述沉积系统由恒温腔室、及设置在所述恒温腔室内的高透明的石英腔体和激光发射装置构成。本发明提供的装置可实现产品任意局部定向沉积SiC涂层，或对已沉积的SiC涂层缺陷进行修复。本发明提供一种含氟废水的除氟絮凝反应方法，所述方法采用三级沉淀反应池对含氟废水进行沉淀反应，在每一级沉淀反应中都对废水的pH进行调节，并向废水中添加沉淀剂。

成果亮点
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