科创中国

本实用新型涉及雷达通信领域，具体的说是用于多芯片封装的一体化集成电路封装结构，包括第一类裸晶片、第二类裸晶片、金属层和人造电介质层，所述金属层包括第一再分布层和第二再分布层；所述金属层和人造电介质层聚酰亚胺交错堆叠，所述裸晶片包裹于人造电介质塑封材料mold compound中，所述第一再分布层与所述裸晶片连接。本申请集成多种不同种类不同材质的芯片和分立器件，做成一个小系统，可以获得体积上的巨大优势，将传统的金属氧化物半导体（CMOS）裸晶片和砷化镓、氮化镓等化合物裸晶片集成在同一个封装体内部，可以兼顾CMOS芯片的低成本、高集成度和化合物芯片的高功率低噪声等性能，从整体上可以提升产品的性能，降低成本，提升集成度，降低开发难度，缩短开发周期。