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钛酸锶单晶体具有与高温超导材料极为匹配的特性，是目前最理想的高温超导材料外延生长衬底材料，是重要的新一代信息材料和新型能源存储材料上游基础材料。然而由于钛酸锶单晶体是绝缘体，外延生长的超导薄膜必须剥离转移才能使用，限制了钛酸锶单晶的扩大应用，掺铌钛酸锶单晶与纯钛酸锶结构相似，具有导电性，可以为薄膜和器件提供了电极。本中试项目内容主要包括：100 Kg/a级晶体生长用成分精细可控高纯掺铌钛酸锶粉体合成中试实验；50 Kg/a级掺铌钛酸锶单晶体生长和掺铌钛酸锶单晶体退火中试实验，掺铌浓度在***~*** wt %焰熔法制备掺铌钛酸锶单晶体制备技术，获得掺铌钛酸锶单晶体单体质量≥100 g、直径≥20 mm，获得的掺铌钛酸锶单晶体电阻率***~*** Ω/cm范围可控，满足高温超导薄膜外延生长基片和电极材料应用要求。本项目实施可为高品质掺铌钛酸锶单晶体产业化生产提供基础，填补国内空白。