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技术投资分析： 半导体材料是现代工业的基础，由于高纯度和高完整性，所以其价格异常昂贵。采用合适的切割工艺显著提高半导体晶体材料的利用率，从而降低成本。 项目组系统地研究了内圆或线切割设备切割半导体材料时切割速率等各种因素对产品的损伤层厚度、弯曲度、翘曲度和崩边率等的影响规律，开发出一套适合于半导体单晶材料的优化切割工艺。 与常规的工艺相比，本工艺具有一下特点： 显著降低翘曲度、弯曲度和崩边率，从而提高产品的成品率；显著降低切割诱生缺陷，提高产品的质量；只改进切割工艺、不依赖于不同的晶体生长工艺和切割设备。 技术的应用领域前景分析： 本项目适用于各种晶向和电阻率的单晶硅或单晶锗等半导体材料的内圆切割或线切割方式。 效益分析： 该技术可应用于相关企业提升产品效率，具有较大经济效益。 厂房条件建议： 无 备注： 无