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技术投资分析： 本专利公开了一种大面积并联高密度感应耦合等离子体源，包括射频电源、匹配网络、外置天线和真空腔体等。采用了创新的感应天线的绕制方法，提高了射频功率的耦合效率，增强了等离子体密度，改善了其放电均匀性，设计与制作简单，成本低廉。 技术指标：在700W射频功率的条件下，Ar等离子体密度超过1011cm-3，表面处理的均匀性好于85％。 技术的应用领域前景分析： 各种样品表面的快速等离子体真空处理、薄膜生长等。 效益分析： 本技术市场应用范围广，利润丰厚，效益十分可观。 厂房条件建议： 无 备注： 无