科创中国

霍尔传感器的主要指标有：灵敏度、精度、线性度和失调等。互补金属氧化物半导体（CMOS）技术可实现在同一芯片上设计和集成具有信号调理电路的高性能霍尔传感器。然而，由于研究工具与方法的脱节，器件结构、电路模型以及版图设计等影响传感器性能的重要环节不能有机融合，造成研究效率低，研究周期长。值得一提的是：目前，三轴霍尔传感器的研究在我国基本属于空白领域！本项目的研究目标是形成一套较为完整的霍尔传感器研究方法，包括器件建模、仿真优化、模型提炼、版图设计和流片验证五个环节，最终基于CMOS工艺设计小型化、低成本和高性能的三轴霍尔传感器芯片。

2021年12月18日-20日，由人力资源和社会保障部、广东省人民政府主办的第一届全国博士后创新创业大赛在佛山举行，参赛项目《三轴霍尔传感器芯片设计》总分排名全国第一，荣获创新组金奖。2021年12月14日，在重庆举办的2021年重庆英才大会“英才杯”创新创业创造大赛中，参赛项目《三轴霍尔传感器芯片设计》总分排名第二，荣获二等奖。以第一发明人身份授权欧美专利4项，授权中国专利26项。