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P型栅极氮化镓HEMT早在2010年就开始商业化，虽然P型栅极氮化镓HEMT的优越性能已经得到业界的认可，但要达到大范围应用及商业化仍有几项关键技术点需要突破。其中P型栅极氮化镓HEMT未能大范围应用的原因是阈值电压及承受的栅极电压范围较小，以600V等级的P型栅极氮化镓HEMT为例，阈值电压一般都低于2V，相比之下，相同电压等级的硅基大功率MOSFET，其阈值电压可以轻松到3V以上。现有商业化的P型栅极氮化镓HEMT，其最大栅偏压一般在47V范围。而传统的硅基大功率MOSFET的最大栅偏压可以达到2030V之间。低阈值电压及小的栅极电压承受范围，使得晶体管的封装成为一个极大的挑战；晶体管器件的寄生电感会导致重大的阈值电压波动，这种波动会导致本应关闭的器件发生错误开启。晶体管开关转换过程中的波动，会导致栅极电压超过晶体管可承受的最大栅偏压，从而最终导致器件失效。