科创中国

主要特点：（1）国际首创采用TSV（硅通孔）液态合金填充的MEMS工艺来制备磁通门探头芯片，一致性高、稳定性强且自动化程度高，具备完全自主知识产权，技术成果经鉴定达到国际先进水平；

（2）国内首次实现了磁通门式电量传感器接口信号处理ASIC芯片的自主化开发，攻克“卡脖子”技术，打破国外技术垄断；

（3）行业内首次实现了基于MEMS探头芯片及ASIC信号调理芯片的磁通门式电量传感器的工程化开发，整体性能提升显著，具备大批量应用推广条件。

3.解决的问题：（1）国际首次实现了磁通门探头芯片的芯片化开发，解决了传统磁通门探头体积尺寸大及一致性稳定性差的弊端；（2）针对信号调理ASIC芯片，实现国产化自主技术突破，攻克“卡脖子”技术难题；（3）MEMS+ASIC多传感芯片集成，真正实现了磁通门式电量传感器的小型化开发。

4.功能通途：利用磁通门原理实现高精度的弱磁场及小电流测量，关键的磁场敏感元件及信号调理电路在行业内首次真正实现了芯片级的解决方案，具有重量小、集成度高、一致性高、稳定性强、自动化程度高等优点，具备完全自主知识产权；

5.应用领域（聚焦碳达峰碳中和领域）：（1）轨道交通的牵引变流系统、辅助变流系统等；（2）光伏领域分布式逆变器等；（3）风电领域风电变流器等；（4）新能源汽车领域的电驱控制系统、电池管理系统及充电桩等；（5）工业控制领域的不间断电源、小型驱动电机、暖通空调逆变器、电气设备等；（6）人工智能领域中高精度电流测量场合，如智能机器人、智能家居等。