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高纯度低缺陷外延片用三氯氢硅关键技术及应用

发布时间: 2021-11-11

来源: 科技服务团

基本信息

合作方式: 技术许可
成果类型: 发明专利
行业领域:
新材料产业,制造业
成果介绍

高纯三氯氢硅主要作为半导体硅外延片和高纯硅制备所需的硅源气体,在半导体制造过程中应用广泛。全球年需求量5000t,国内需求近2000t,目前主要供应商有日本信越、美国REC等垄断,使我国半导体行业的发展极大地受到国外的牵制。因此,在国家工业转型升级重点项目中,将其列入“工业强基”中“关键基础材料”具体支持方向。该成果  首创光催化微反应-吸附络合-高效精馏纯化新技术,突破痕量杂质转化分离、检测分析、洁净充装、质量管控等难题,实现高纯三氯氢硅的规模化生产,填补国内空白,实现进口替代,成果技术指标(施受主杂质、碳含量)达到国际领先水平。产品获授权专利42项,其中发明专利19项,发表论文10篇,标准3项。于2017年在中硅高科建成年产2000吨电子级三氯氢硅生产线并稳定运行,实现高纯三氯氢硅的规模化、低成本生产。通过第三方测试对比及下游应用验证,产品施主、受主杂质、碳含量优于国外标杆企业,金属杂质含量较国外产品优势明显,技术经济指标先进。经中国有色金属行业协会鉴定,该技术成果具有自主知识产权和创新性,技术指标(施受主杂质、碳含量)达到国际领先水平。 产品在南京国盛、上海新傲、河北普兴等实现规模化销售,满足使用要求,实现国内用户达80%的覆盖率,市场占有率达20%以上。已累计销售464吨,新增销售收入18759万元,新增利润 10327万元。 目前正在中硅高科电子信息产业转型升级项目建设年产8000吨生产线,技术重现性好,成熟度高。该项目实现了高纯三氯氢硅规模化国产制备,打破国外的技术垄断,促进了高纯电子气体行业的技术进步和产业化发展,弥补了半导体行业在基础材料方面的技术短板,加快了半导体基础材料国产化进程,在国际市场竞争中优势明显。

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