宽谱带、高灵敏度光电探测与成像芯片
发布时间: 2021-11-08
来源: 科技服务团
基本信息
本项目中我们拟研发的具有高内增益的红外探测与显示器件(IR-DDD)由两部分组成:探测单元和显示单元。前端的基于量子点的红外探测器(QDIP)属于探测单元,用于探测入射的微弱红外光并将其转变为电信号;而后端的有机发光二极管(OLED)属于显示单元,它能将探测到的电信号再转变为可见光,并显示出来。在此基础上制备成阵列结构,则可直接成像,可免去后端复杂的成像电路及信号处理电路,可直接看到可见光图像。此技术由于彻底摒弃了‘倒装互联’工艺并采用直接显示方式,可大幅度降低红外探测系统的工艺难度和制作成本,提高器件成品率。而且,采用具有高内增益的晶体管结构来设计探测单元,其灵敏度能极大提高!采用窄带隙IV-VI族半导体量子点,其吸收波长能拓宽到中红外,很容易实现中、短波红外成像并提升夜视器件性能,将填补微光夜视与中波红外成像之间的光谱空缺,实现在三个大气红外透射窗口的“无缝隙探测”,这对获取目标在红外波段的全面信息具有重要意义。
可应用于夜视、侦察与监视、遥感、红外成像制导、光电对抗等军事和民用领域。