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ZnO透明导电薄膜具备提高光效和器件工作稳定性的特征，是未来可替代ITO的第三代透明导电薄膜。采用MOCVD外延生长方法来获得ZnO薄膜，以实现高质量高性能薄膜和低成本生产制造目的，是最具产业化应用潜力的技术。本项目旨在突破传统透明导电薄膜的技术壁垒，开发适用于LED的新一代高效率、低成本、长寿命ZnO透明导电薄膜，研制用于ZnO透明电极制备的核心量产装备，形成具有自主知识产权的核心量产技术集群。项目完成后，预期能实现高流明效率白光LED器件，器件整体性能大幅优于以ITO为透明电极的LED器件，并能形成具有自主知识产权的第三代透明导电材料，以及促进ZnO制备MOCVD量产装备的国产化。项目技术要点包括：（1）低阻高透ZnO透明导电薄膜MOCVD制备技术；（2） 具有ZnO透明电极的LED制备工艺技术与界面接触技术；（3）光效提升技术；（4）ZnO透明电极MOCVD量产装备的国产化研制。