科创中国

首次制备出了高质量的非铅双钙钛矿Cs2AgBiBr6薄膜，并制备了自供能的光电探测器，该器件可以在无外加偏压的条件下工作，其两个响应度的峰分别位于350 nm和435 nm，可以用于紫外A区域(320-400 nm)以及深蓝光的探测。其响应度在350 nm可以达到*** A/W，同时响应时间小于3 ms，这一结果明显优于基于传统的氧化物半导体的紫外探测器。该器件具有非常出色的稳定性，在未封装的条件下，在空气中放置超过6个月后光电流没有明显的衰减，响应度也没有明显的变化。
我们制备的基于非铅双钙钛矿Cs2AgBiBr6薄膜的自供能紫外以及深蓝光光电探测器稳定性好，响应度高，响应时间快，在紫外光探测以及成像领域具有较好的应用前景。所提供的薄膜制备方法可以与器件的大面积制备兼容，具有实用价值。