科创中国

创立了八面体原子基元与面心立方亚稳态理论，研发出世界上速度最快的Sc-Sb-Te相变材料，写速度达到了700ps，研究成果发表在SCIENCE。SCIENCE评论文章认为相变存储技术的新发现预示着下一代存储器的到来。美国《今日物理》邀请IBM首席科学家评述，如果在神经网络计算中使用这种存储器，功耗会大大降低，速度会提升几个数量级。打通1024道相变存储器高密度集成工艺，攻克了对功耗、速度起决定作用的3纳米加热电极制备技术，实现了软质疏松相变材料纳米存储结构，解决了制备与操作过程中相变材料的热稳定性问题。研制出可满足市场容量需求的128M嵌入式相变存储芯片，实现全球首款嵌入式相变存储芯片的量产。