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一种半导体芯片正面铝层可焊化方法

发布时间: 2021-09-14

来源: 科技服务团

基本信息

合作方式： 合作开发
成果类型： 发明专利
行业领域：
新一代信息技术产业,信息传输、软件和信息技术服务业
成果介绍

本发明属于双面散热半导体领域，更具体地，涉及一种半导体芯片正面铝层可焊化方法，特别涉及一种宽禁带垂直功率半导体器件的正面电极可焊化工艺方法。其通过首先采用湿法腐蚀去除芯片正面粘合性较差的自然氧化铝层，然后再依次蒸发镀金属Ti、Ni、Ag，该金属化方法不仅使得处理后的芯片具有良好的导电性，又使商用半导体芯片从单面可焊接改进为双面可焊接，有利于实现双面散热，提高半导体模块的功率密度的同时还可改善半导体封装的可靠性。

成果亮点
团队介绍
成果资料