科创中国
Si基GaN HEMT功率器件研究
发布时间: 2021-08-14
来源: 科创项目库
基本信息
合作方式：
股权融资
成果类型：
发明专利
行业领域：
新一代信息技术产业,信息传输、软件和信息技术服务业
成果介绍
本项目GaN HEMT具有自主知识产权，器件采用H钝化的高阻GaN盖帽层，具有更高的动态特性、耐压特性和可靠性。相比于目前市面和其他公司正在研发的刻蚀结构器件具有工艺简单、成本低和性能高等很大的优势。依托于中科院苏州纳米所进行了前期研究和验证工作，已经可以进行10A/900V GaN HEMT小试生产。目前，该项目所研制芯片正在苏州纳米所的8inch线上进行工程化验证。预计项目总体投资规模10亿元，力争在2022年实现批量产品产出。
成果亮点
团队介绍
专家点评
“科创中国”技术路演—第三代半导体专场 | 2021-06-03
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孙冶平
中关村芯创集成电路产业基金—合伙人