科创中国

存储器是电子设备的重要组成部分，产值超过集成电路总市场的1/4。随着CPU性能的逐渐饱和，存储器的作用越来越重要，并已成为限制电路性能的关键因素。当前主流的FLASH和DRAM存储技术已不能满足未来的需求，新型阻变存储器在速度和存储容量上均有数量级的提升，未来将有望取代现在的内存和闪存，成为下一代存储器的主流技术。该成果解决了阻变存储器与传统CMOS工艺的兼容性问题，可将阻变存储器嵌入到功能芯片中。在此基础上设计并成功制造出了16Mb容量的阻变存储器芯片，实现计算和存储的片上集成。该存储芯片具有与传统内存（DRAM）相近的速度，以及与传统固态硬盘（FLASH）相同的数据非易失性。未来有潜力颠覆现有的存储器体系结构，同时实现高速度和高密度存储，从而避免“存储墙”问题带来的芯片在功耗和速度上的瓶颈。阻变存储器将首先应用于嵌入式存储中，其低电压、非易失的特性将使芯片的功耗大幅降低，随着技术的不断成熟，未来存储密度将会大幅提高，最终取代现在的固态硬盘技术。