科创中国

高可靠性大功率半导体器件封测技术

海宁中科半导体科技股份有限公司以团队自主知识产权的汽车动力总成芯片及模组为技术需求引领， 结合宽禁带化合物半导体(第三代半导体)器件的封测需求，开展高可靠性大功率半导体器件封测技 术的研究开发，并展开规模化生产和公共技术服务。 

公司团队开展高可靠性大功率半导体器件封测技术研发的主要目标产品: • 以汽车动力总成芯片及模组为代表的汽车功率器件 

以GaN、SiC材料为代表的宽禁带化合物半导体功率器件
以大功率激光器为代表的功率光电子器件
以宇航舱外器件为代表的极端环境下的高可靠性集成电路器件 

主要研究内容 

高可靠性半导体器件封装工艺开发。 主要研究高可靠性半导体封装材料，高可靠性半导体器件封装工艺流程，高可靠性半导体器件测试流程等。 

大功率半导体器件封装工艺开发。 主要研究大功率半导体器件散热模型，大功率半导体器件封装形式设计，大功率半导体器件应用系统设计，大功率半导体器件使用和表面贴装工艺等。

高可靠性半导体器件量产测试开发。 主要研究高可靠性半导体器件在极限条件下的量产测试，极限条件下的高可靠性半导体器件测试设备改造和硬件开发等。 

宽禁带化合物半导体器件封装工艺开发。 主要研究高散热封装基板设计和材料选择，极高功率烧结及键合工艺，高散热覆盖封装材料及结构设计，高散热覆盖材料及特殊结构封装工艺等。