科创中国

第三代半导体是指化合物半导体，包括SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)、ZnO(氧化锌)、GaO(氧化镓)、AlN(氮化铝)，以及金刚石等宽禁带半导体材料(导带与禁带间能隙差Eg>***)。第三代半导体具有高击穿电场、高饱和电子速率、高热导率、高电子迁移率等优点。以SiC和GaN为代表材料的器件具有更大的输出功率和更好的频率特性。

2019年，我国第三代半导体器件市场规模达到***亿元，增长率达到***%。2022年，第三代半导体器件市场规模将达到***亿元，增长率达到***%。2025年，全球第三代半导体市场的增长将增长至434亿美元。

近年来，全球贸易摩擦持续加剧，半导体作为信息产业的基石，更是成为了贸易战的重中之重。5G建设推进，新能源汽车上量上速，均对半导体材料提出了更高的要求，第三代半导体火速成为产业焦点和我国半导体行业弯道超车的希望。

深度参与国家第三代半导体技术“十四五”发展规划，融入国家和长三角地区在第三代半导体产业的发展布局，在GaN/SiC器件高速驱动技术、系统级异质混合封装技术、器件静态/动态测试技术等细分领域形成独特优势，在新能源汽车、高效电源、特种电机等领域形成示范性应用，使研究院成为我国第三代半导体产业中的一支重要力量，推动海宁泛半导体产业的跨越式发展。

GaN/SiC器件高速驱动技术采用电容耦合电平移位、负压关断和摆率控制等方案，突破增强型/耗尽型GaN器件与SiC器件在高压条件下的高速驱动技术。逐步完善针对不同器件类型、不同栅极电容、阈值电压等参数的设计平台，快速准确响应设计需求。

研究院推出高频、高效率的GaN/SiC器件专用驱动芯片，布局在新能源汽车、高密度电源、特种电机等领域的方案开发。

海宁先进半导体与智能技术研究院将在未来三年内布局研发 ：

650V耗尽型GaN驱动芯片

100V增强型GaN驱动芯片

650V Si基/GaN混合集成耗尽型GaN功率级

100V Si基/GaN混合集成增强型GaN半桥功率级

1200V以上增强型SiC驱动芯片