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中科宏微公司专注于半导体照明产业领域的重大核心装备—金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备的研发和设计制造以及氮化物LED的外延应用，所开发产品具有国内领先、国际先进水平。MOCVD装备是半导体照明产业链中最为重要的核心装备，是半导体照明最核心外延技术必备的装备。 中科宏微公司与2011年开始生产型MOCVD设备制造及外延工艺研究，2012年研制成功48片MOCVD生产型设备，同时进行了GaN LED批量化外延工艺实验，外延材料的常规技术指标，已经达到同类商用设备的技术指标水平，其中单片片内波长均匀性偏差达到***%，全炉片间波长均匀性偏差达到1%以下, 初步制作氮化镓LED外延材料的小芯片发光功率达到26毫瓦,制作的LED光效稳定达到120lm/W以上。 中科宏微公司是国内第一家提出交钥匙工程的国产MOCVD设备公司，也是国内第一家报道用自产设备生长的LED参数的公司。由国产MOCVD外延生产的氮化物材料，分别经由中山大学、山东华光、杭州士兰明芯，扬州中科等公司进行了性能测试和氮化物LED芯片制作。经多方检测的结果表明，用此48片MOCVD样机外延的氮化镓材料及LED，其晶体质量、电学光学性能、均匀性等各项性能指标均达到同类国际MOCVD商用产品的水平。 中科宏微公司生产的HiCRO®系列GaN MOCVD可以提供目前国内最稳定的MOCVD平台，已通过生产验证并已实现产业化生产。该系MOCVD系统可以用于GaN 基蓝光、绿光 LED 和蓝光激光器的量产。HiCRO®系列GaN MOCVD设备具有优秀的可靠性和重复性。顶盘系自主设计开发，拥有自主知识产权，这种顶盘能在生长室内形成均匀的三族/五族源的流体场，从而获得很好的晶片均匀性和极佳的工艺重复性。完全自主研发的控制系统采用DeviceNet协议实现了设备的全自动运行。高度的自动化降低了生产时间，提高了生产效率。HiCRO®系列GaN MOCVD系统的主体部分、关键部件、易消耗部件，以国内采购和加工为主；这使得在保证设备可靠性的同时提供了最低的购置成本。