科创中国

依据团队具备的经验和技术，团队的碳化硅外延炉主要采取主流的横向热壁技术方案，重要的技术指标将对标被国内广泛认可的意大利LPE碳化硅外延设备。其指标包括将外延材料的厚度不均匀性降至1%；缺陷密度降至***^-2；原料利用率上提升30%；配件寿命从250μm的碳化硅涂层提高至350μm涂层；维护周期上升至35炉。团队成员具备与碳化硅设备开发吻合度极高的技术经验，主要体现在擅长MOCVD气态源和液态源的控制、洁净真空技术（曾设计出满足7nm工艺所需的洁净度的设备）、反应室优化设计（曾设计过各类CVD腔室结构，如：冷壁反应室，喷淋板结构，预混气室结构，磁流体旋转加热盘等满足各类反应条件的结构。配合仿真软件进行流场模拟，可设计出均匀、平稳的层流式腔室）、自动控制技术、感应加热技术以及工艺调试方面。进口设备主要采用横向热壁、横流行星式旋转、纵向热壁三种技术路线。横向热壁方案因其高可靠性和综合性价比已成为产业化设备的主流选择。横流行星选择的高温性能指标和维护便捷度、产品良率等方面仍面临较大挑战。纵向热壁方案目前仍处于开发验证的早期阶段。