科创中国

极紫外(EUV)光刻是新一代集成电路光刻技术，EUV光刻胶是光刻过程中的关键材料。EUV光刻工艺对光刻胶性能有着极端苛刻的要求，国外光刻胶公司以绝对的技术优势对聚合物为主体材料的EUV光刻胶完成了专利布局，EUV光刻胶研发在国内形成“无人区”。研发团队另辟蹊径，研发出多种单分子树脂和以其为主体材料的EUV光刻胶配方，从原料到产品制备完全自主可控，光刻分辨率达到20nm，线边缘粗糙度小于3nm，该技术适用于7nm工艺节点，达到国际先进水平。该技术具有完全自主知识产权，已获得16项国内外发明专利授权，不仅突破了国外知识产权壁垒，相比传统聚合物主体材料的光刻胶也更具优势和潜力：单分子树脂分子量单一，分子直径仅1-2nm，结构可控，易于保证各批次产品的稳定性，相比聚合物(分子量分布宽，尺寸大(5-10nm)，易缠绕，难以保证不同批次产品分子量分布的一致性)更适用于高分辨光刻工艺。已完成单分子树脂EUV光刻胶实验室开发验证和中试生产线建设，可提供公斤级EUV光刻胶产品。新成立的国科天骥新材料有限责任公司占地面积30800m²，目前已进入光刻胶生产线设备安装调试阶段，预计2020年底建成试生产。