科创中国

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1）2G FEM CMOS研制出国内首颗大规模量产并具有完全自主知识产权的单晶圆CMOS GSM射频前端芯片，而其他竞争对手需要3~4颗晶圆才能实现此功能。该芯片从成本、可靠性等方面，远远优于其他厂家，累计出货超过6亿颗，全球市场占有率超过60%，曾获得北京科学技术奖、中国芯等奖项。采用标准CMOS工艺，实现了芯片构架的创新，电路技术的创新，封装方式的创新等多方面改进，该芯片处于世界领先的技术水平。2）3G TxM CMOS 研制出国内首颗可大规模量产并具有完全自主知识产权的3G CMOS射频前端模块TxM，该芯片使用2颗晶圆，完成了其他厂家3~4颗晶圆才能实现的功能。预计今年市占率能达到40%，市场份额第一。同时使用了新的封装工艺（铜柱+锡球技术），替代原有的打线（bonding）技术和锡球倒扣技术，以及砷化镓使用的硅通孔技术，大大降低了成本，降低了打线的寄生电感引入的稳定性问题、散热问题和效率问题，该芯片处于世界领先的技术水平。3）4G FEM汉天下电子成功研发出国内首款TDLTE/LTE FDD/WCDMA/TDSCDMA/ GSM五模多频和TDLTE/TDSCDMA/GSM三模多频射频前端套片（Phase II方案），广泛应用于3G/4G手持式移动通信设备。单一芯片上集成了GaAs HBT、CMOS控制器以及SOI开关，极大降低了客户成本。该系列套片支持在所有提供的MIPI电压下都能保持高效率、高线性度、高输出功率以及低噪声的特性。不仅支持TDLTE、LTE FDD、WCDMA、TDSCDMA、GSM五种通信标准，同时也支持包括band1、2、3、5、7、8、34、38、39、40、41等目前国际上已商用的十几个频段，以及450MHz专网频段。产品创新点，包括非线性消除技术，功率控制技术，自适应偏置技术，全方位的PA保护技术片，片上电容校正技术，可重构技术，线性化技术等。并针对支持语音和数据双模双通应用，集成了独立的GSM/EDGE 射频收发单元，即支持2G语音业务和3G/4G数据业务相互独立的双模双通工作模式，使移动终端可以支持真正意义上的双通。CMOS电路采用标准的MIPI控制器进行可编程操作，芯片集成度及技术水平达到国际领先水平。工信部已经分别发放TDLTE和LTE FDD牌照，标志着中国宽带通信已经全面进入4G时代，