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原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）是在一个加热反应器中的衬底上交替引入气相前驱体，通过交替的表面饱和反应进行原子级薄膜的自限制生长。广泛应用于微纳电子器件、纳米材料、高品质光学薄膜的制备等领域。 中科院嘉兴微电子仪器与设备工程中心与美国Angstrom Thin Film公司联合研制的KMT-200A&KMP-200B原子层沉积系统针对先进集成电路工艺和特殊纳米涂层工艺研制工艺进行开发，拥有完全自主的知识产权。经测试，生长出的薄膜非均匀性小于1%，各项指标均达到或超过国际同类设备水平。其中KMT-200A为基础热型原子层沉积系统，KMP-200B型为国内首台脉冲等离子体增强原子层沉积系统。