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项目设计开发了以五元素体系NclAlInZn0 为代表的新型镧系稀土掺杂金属氧化物半导体材料（LnIZO），完成了LnIZO 薄膜的制备和LnIZO TFT 器件结构的设计与制备，完善了制备LnIZO TFT 阵列的全套工艺；实现了有机发光薄膜与TFT 集成技术，研发了TFT 阵列显示驱动技术，研制完成了可图像显示的5 英寸全彩色AMOLED 显示屏，项目开发的AMOLED 样机技术参数经第三方检测达到合同技术指标。项目申请发明专利7 件、实用新型专利2 件，其中获得授权发明专利4件，发表论文3 篇；培养硕士研究生3 名，博士研究生1 名；已建立中试线，经济指标达标。