第三代半导体芯片制造成套核心装备

第三代半导体材料是指碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带材料，具备耐高压、耐高温、耐高频等优越性能,主要用于功率电子、微波射频和光电子领域。第三代半导体芯片制造成套核心装备主要为SiC、GaN等材料特性密切相关的专用材料、器件制造装备,包括用于制备SiC外延层的SiC外延生长炉、用于P型掺杂的SiC高温高能离子注入机、用于激活注入离子及修复离子注入晶格损伤的SiC高温退火炉、用于制备栅氧层的SiC高温氧化炉和用于制备GaN外延层的GaNMOCVD。 第三代半导体是下一代移动通信、新能源汽车、高速列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的关键“核芯”。新能源汽车、高速列车等产业升级换代需要高效率、高可靠、轻量小型化的电力控制系统,决定了各种电力转换装置的功率密度、转换效率、安全可靠等第三代半导体电力电子材料和器件成为关键技术门槛；雷达与电子战、通信系统装备性能升级，需要实现射频信号的覆盖范围更大、带宽更宽、精度更高、时延更低,核心技术是高频宽带大功率的微波射频器件;新一代显示与光源技术需要覆盖红外到紫外波长范围的半导体体系,实现光谱可调、高效小型化、数字可控的半导体光源,支撑颠覆性创新应用。